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IXTA200N085T
IXTP200N085T
270
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
240
210
180
150
120
90
60
30
0
T J = -40oC
25oC
150oC
160
140
120
100
80
60
40
20
0
T J = - 40oC
25oC
150oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
270
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
240
210
180
9
8
7
V DS = 43V
I D = 25A
I G = 10mA
6
150
5
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V SD - Volts
Q G - NanoCoulombs
10,000
Fig. 11. Capacitance
1.00
Fig. 19. Maximum Transient Thermal
Impedance
Ciss
1,000
100
f = 1 MHz
Coss
Crss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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